上海华力申请测试结构及栅极寄生电容校准方法专利，可校准相关表格确保模型仿真相符

金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“一种测试结构及栅极寄生电容的校准方法”的专利，公开号 CN 119381386 A，申请日期为2023年7月。

专利摘要显示，本发明提供一种测试结构及栅极寄生电容的校准方法，测试结构一可校准ITF文书中第一金属层相关的尺寸和厚度表格；测试结构二为MOS结构去除源漏区的接触孔，设计相同沟道长度、相同周围环境、不同沟道宽度的测试结构二，以此结构校准ITF文书中栅极尺寸和厚度值测试结构三为MOS结构去除源漏区的金属连线，去除第一导电类型轻掺杂区组成的浅掺杂源漏区，将第二导电类型轻掺杂阱区、第二导电类型重掺杂区体引出层换成第一导电类型轻掺杂阱区、第一导电类型重掺杂区体引出层，以此结构校准ITF中与Cco和Cf电容相关的表格；测试结构四为MOS结构，其实际电容测试结果与后仿结果对比，以此确保栅极寄生电容和模型仿真相符合。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币，实缴资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2067次，专利信息2181条，此外企业还拥有行政许可344个。

本文源自：金融界

作者：情报员